這兩年，手機芯片開至標榜16/14nm FinFET工藝，現在芯片廠商們爭相蓄力10nm工藝，繼昨天聯發科新十核Helio X30曝光將采用10nm工藝后，根據最新的消息，高通CEO Steve Mollenkopf在接受分析師提問時透露，高通的10nm工藝芯片已經定案，同時開始送樣給客戶。

雖然Steve Mollenkopf沒有透露明年的這款處理器具體是哪款產品，但很早之前就有消息曝光，高通驍龍830處理器將采用10nm工藝，最大可能支持8GB內存。此外Steve Mollenkopf還透露，高通2017年的10nm訂單都會交給三星，不過也會繼續堅持多個來源的策略，也就是說，明年三星或將全權負責高通10nm芯片的訂單。

根據之前曝光的信息，驍龍830將采用10nm FinFET制程工藝和Kyro 200架構，搭載Adreno 540、X16基帶，據稱它的下載速度高達980Mbps，并擁有LPDDR4X內存和4K×2K/60fps視頻錄制，將實現性能和功能的雙提升。至于發布時間，那主要取決于客戶產品。目前看明年初是最有可能的，預計將于明年MWC展上發布的三星的Galaxy S8將會成為驍龍830的首發機型。